بيسان 07-08-2007 08:14 PM الترانزيستور transistor   التعريف : بلورة من مادة شبه موصل مطعمة بحيث تكون المنطقة الوسطى منها شبه موصل موجب أو سالب بينما المنطقتان الخارجيتان من نوعية مخالفة . تعريف آخر : وصلة ثلاثية من بللورة الجرمانيوم أو السيليكون تحتوي على بللورة رقيقة جدا من النوع الموجب أو السالب تسمى القاعدة توجد في الوسط وعلى جانبيها بللورتان من نوع مخالف هما الباعث والمجمع . http://www.arabmeet.com/vb/attachmen...entid=60&stc=1 نوعا الترانزيستور يوجد نوعان من الترانزيستور هما: Pnp فيه القاعدة من النوع السالب بينما الباعث والمجمع من النوع الموجب Npn فيه القاعدة من النوع الموجب بينما الباعث والمجمع من النوع السالب الرسم الرمزي للترانزيستور : يبين الشكل الرسم الرمزي لكل نوع من الترانزيستور ويلاحظ أن اتجاه السهم يدل على اتجاه التيار ( وهو عكس اتجاه حركة الالكترونات npn تركيب الترانزيستور من النوع Emitter الباعث بللورة شبه موصل من النوع السالب بها نسبة شوائب عالية وذات حجم متوسط صممت لتبعث الكترونات Base القاعدة بللورة شبه موصل من النوع الموجب بها نسبة شوائب قليلة وذات حجم صغير تتوسط الباعث والمجمع صممت لتمرير الالكترونات Collector المجمع بللورة شبه موصل من النوع السالب بها نسبة شوائب أقل من الباعث وذات حجم كبير صممت لتجميع الالكترونات كم وصلة ثنائية في الترانزيستور ؟ يتركب الترانزيستور من وصلتان ثنائيتان وضعتا ظهرا لظهر وصلة بين الباعث والقاعدة ووصلة بين القاعدة والمجمع BJT علل يسمى الترانزيستور بالوصلة ذات القطبية الثنائية Bipolar junction transistor لأنه يتركب من وصلتان ثنائيتان وضعتا ظهرا لظهر علل يفضل الترانزيستور المصنوع من السيلكون ؟ لأن السيليكون يتحمل درجات حرارة عالية تصل الى 175 درجة سيلزية السيليكون أسهل في تصنيعه من الجرمانيوم السيلكون أرخص ثمنا حيث أنه ثاني أكثر العناصر انتشارا في الطبيعة npn كيفية عمل الترانزيستور أولا : توصل القاعدة والباعث بجهد ثابت توصيلا أماميا ( جهد الانحياز الأمامي ) وبالتالي يكون حاجز الجهد بين المنطقتين صغيرا جدا وعلى ذلك تكون مقاومة وصلة الباعث - القاعدة صغيرة ثانيا : يوصل المجمع والقاعدة بجهد ثابت توصيلا خلفيا ( جهد الانحياز العكسي ) وبالتالي تكون مقاومة وصلة المجمع - القاعدة عالية نلاحظ أن القاعدة تكون موجبة بالنسبة للباعث ويكون المجمع موجبا بالنسبة للقاعدة ثالثا : بما أن القاعدة تحتوي على عدد قليل من الشوائب اذا عدد الفجوات بها يكون منخفضا وبالتالي يكون عدد الالكترونات التي يملأ هذه الفجوات منخفضا رابعا : تمر معظم الالكترونات من الباعث الى المجمع عبر القاعدة ولا يمر في القاعدة الا عدد قليل من الالكترونات خامسا : بتطبيق قانون كيرشوف على الترانزيستور يكون شدة تيار الباعث = شدة تيار المجمع + شدة تيار القاعدة http://www.arabmeet.com/vb/attachmen...entid=61&stc=1 علل شدة تيار الباعث يساوي تقريبا شدة تيار المجمع ؟ الأسباب : اولا وجود فرق جهد كبير بين المجمع والباعث ينتج مجالا كهربائيا شديدا يعمل على دفع الالكترونات باتجاه المجمع ثانيا كبر المساحة المتقابلة بين المجمع والباعث وصغر مساحة القاعدة يجعل الالكترونات تعبر من الباعث الى المجمع بمعدل أكبر ثالثا قلة عدد الشوائب في القاعدة يجعلها لا تقبل سوى عدد صغير من الالكترونات

الساعة الآن 11:52 PM.

Powered by vBulletin® Copyright ©2000 - 2024, Jelsoft Enterprises Ltd. , Designed & TranZ By Almuhajir
لا تتحمل منتديات حصن عمان ولا إدارتها أية مسؤولية عن أي موضوع يطرح فيها

a.d - i.s.s.w